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    AMD的第N次逆襲:7nm芯片再挑英特爾服務器市場

    文章出處:網責任編輯:作者: 人氣:-發表時間:2019-08-13 15:41:00

      目前,兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經公布了新NAND Flash 產品的發展規劃。其中,三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外,SK 海力士則是宣布成功開發出128 層堆疊的4D NAND Flash,并已經進入量產階段。不過,雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產品,但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以,SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃,預計在2030 年推出800+ 層的NAND Flash,屆時將可輕松打造出100 到200TB 容量的SSD。

      在日前舉行的? Flash Memory Summit ? 大會上,SK 海力士公布旗下新產品的規劃以及公司的相關布局。根據內容指出,目前SK 海力士正在開發128 層堆疊的4D NAND Flash,其量產時間將落在2019 年第4 季。另外, SK 海力士還展示了一款「PE8030」的全新SSD,采用PCIe 4.0×4 介面連接,提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量,連續讀寫速度最高可達6200MB/s、3300MB/s ,而4KB 隨機讀寫最高可達950K IOPS、260K IOPS。

      在研發發展方面,目前SK 海力士正在研發176 層NAND Flash,而其他產品的發展,包括72 層堆疊的4D NAND Flash 目前大規模量產中,96 層堆疊的4D NAND Flash 目前也在大規模量產中,而且未來產能即將超越72 層堆疊的4D NAND Flash。128 層堆疊的4D NAND Flash 將于2019 年第4 季量產,176 層堆疊產品2020 年問世、500 層堆疊產品則將于2025 年問世,其TB/wafer 容量比將可提升30%。而800+ 堆疊的4D NAND Flash 則是預計2030 年問世,TB/wafer 容量比提升到100 到200TB 的

      據了解,目前SK 海力士生產的128 層堆疊NAND Flash 核心容量是1Tbit,176 層堆疊的核心容量則是來到1.38Tbit,預計500 層堆疊時核心容量可達3.9Tbit,到800 層堆疊時則會高達6.25Tbit,是現在的6 倍多。而若以當前SSD 固態硬碟的容量計算,目前最大容量約在15 到16TB 左右。而依照6 倍核心容量的成長幅度來計算,未來SSD 容量可達200TB 左右,這個容量要比當前的HDD 還要更大。

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