力旺推出可編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM

 　　IP供應商力旺電子極力布局車用電子市場，提出可編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM（電子抹除式可復寫唯讀存儲器）矽智財（Silicon IP），來因應車用市場的需求，且不需要額外加光罩即可應用于現有平臺上，不單是車用電子，也可用于指紋識別、電源管理IC、NFC、RFIC等。

　　力旺這次提出可編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM，是強化版IP，也是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新產品，而這個新版IP的編寫次數是原版的數十倍，同時編寫/抹除（Program/Erase）時間減少將近50%，資料保存期限在150°C高溫操作下，更可以高達10年之久。

　　力旺分析，新版的NeoEE與現有邏輯制程和車規常用的BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）制程完全相容，不需要加光罩即可整合至不同類型的制程平臺，且該IP已經通過晶圓廠0.18微米5V制程平臺的驗證，目前正在著手布建將這項技術轉至其他5V平臺。 在應用方面，力旺指出，強化版NeoEE非常適合有高編寫需求的應用，包括指紋識別芯片、智能卡、NFC、RFID，電源管理IC和微處理器（MCU）等。值得注意的是，這項IP的耐受度（endurance）、高溫操作、生命周期都是依照AEC-Q100的車規標準設計，未來也會主打車用市場。 NeoEE 矽智財以標準5V MOS制程平臺為開發基礎，容易整合至車用電子常使用的高壓（HV）及BCD等制程平臺，從成本和安全的角度來看，NeoEE最適合取代傳統外掛式EEPROM。

　　一般可編寫存儲器在經過重復編寫后，穩定度會遞減，主要是因為重復編寫會改變存儲器的電子分布，導致編寫和抹除位元間的信號差異愈來愈不明顯，最后會無法分辨。

　　力旺這次將新IP可以達到重復編寫次數提升至50萬次以上的水準，主要是透過優化存儲器單元架構及采用新的編寫/抹除運算法，來減輕重復編寫造成的存儲器損耗。

　　經過測試，強化版NeoEE經歷長達2，500個小時150°C的高溫后，編寫和抹除位元狀態穩定，并無電流（壓）增加或流失的現象。

　　再者，NeoEE結構簡單，抹寫次數可高達1，000至50萬次以上，最高容量達16K bits，可操作溫度區間為-40~150°C，資料保存期限長達10年。 由于與現有邏輯制程完全相容，NeoEE無需外加任何光罩即可整合至不同類型之制程平臺，可以降低半導體廠導入的成本，并且節省產品開發時間。

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