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    力旺推出可編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM

    文章出處:網責任編輯:作者: 人氣:-發表時間:2018-12-20 15:17:00

       IP供應商力旺電子極力布局車用電子市場,提出可編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM(電子抹除式可復寫唯讀存儲器)矽智財(Silicon IP),來因應車用市場的需求,且不需要額外加光罩即可應用于現有平臺上,不單是車用電子,也可用于指紋識別、電源管理IC、NFC、RFIC等。

      力旺這次提出可編寫次數超過50萬次的嵌入式EEPROM,是強化版IP,也是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新產品,而這個新版IP的編寫次數是原版的數十倍,同時編寫/抹除(Program/Erase)時間減少將近50%,資料保存期限在150°C高溫操作下,更可以高達10年之久。

      力旺分析,新版的NeoEE與現有邏輯制程和車規常用的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制程完全相容,不需要加光罩即可整合至不同類型的制程平臺,且該IP已經通過晶圓廠0.18微米5V制程平臺的驗證,目前正在著手布建將這項技術轉至其他5V平臺。 在應用方面,力旺指出,強化版NeoEE非常適合有高編寫需求的應用,包括指紋識別芯片、智能卡、NFC、RFID,電源管理IC和微處理器(MCU)等。值得注意的是,這項IP的耐受度(endurance)、高溫操作、生命周期都是依照AEC-Q100的車規標準設計,未來也會主打車用市場。 NeoEE 矽智財以標準5V MOS制程平臺為開發基礎,容易整合至車用電子常使用的高壓(HV)及BCD等制程平臺,從成本和安全的角度來看,NeoEE最適合取代傳統外掛式EEPROM。

      一般可編寫存儲器在經過重復編寫后,穩定度會遞減,主要是因為重復編寫會改變存儲器的電子分布,導致編寫和抹除位元間的信號差異愈來愈不明顯,最后會無法分辨。

      力旺這次將新IP可以達到重復編寫次數提升至50萬次以上的水準,主要是透過優化存儲器單元架構及采用新的編寫/抹除運算法,來減輕重復編寫造成的存儲器損耗。

      經過測試,強化版NeoEE經歷長達2,500個小時150°C的高溫后,編寫和抹除位元狀態穩定,并無電流(壓)增加或流失的現象。

      再者,NeoEE結構簡單,抹寫次數可高達1,000至50萬次以上,最高容量達16K bits,可操作溫度區間為-40~150°C,資料保存期限長達10年。 由于與現有邏輯制程完全相容,NeoEE無需外加任何光罩即可整合至不同類型之制程平臺,可以降低半導體廠導入的成本,并且節省產品開發時間。

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