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    英特爾、三星將目光移向了嵌入式MRAM技術

    文章出處:網責任編輯:作者: 人氣:-發表時間:2018-12-12 15:37:00

       上周,在第64屆國際電子器件會議 (IEDM) 上,全球兩大半導體巨頭展示了嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。

      首先,我們來了解一下 MRAM (Magnetic Random Access Memory),它是一種非易失性的磁性隨機存儲器。擁有靜態隨機存儲器 (SRAM) 的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器 (DRAM) 的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。

      英特爾 (Intel) 在其 22 FFL 工藝中描述了 STT-MRAM (基于 MRAM 的自旋轉移力矩) 非易失性存儲器的關鍵特性。英特爾稱其為“首款基于 FinFET 的 MRAM 技術”。

      這項技可以理解為一個“生產準備就緒”的階段,英特爾也沒有像任何代工客戶透露該流程信息,但從多個消息源來看,目前正在運輸出貨的商品已經采用了這項技術。

      與此同時,三星 (Samsung) 在 28nm FDSOI 平臺上描述了 STT-MRAM。在可擴展性、形狀依賴性、磁性可擴展性等方面來衡量,STT-MRAM 目前被認為是最好的 MRAM 技術。

      MRAM 技術自 20 世紀 90 年代以來一直在發展,但尚未取得廣泛的商業成功。三星研發中心首席工程師,公司IEDM論文的主要作者 Yoon Jong Song表示:“我認為現在是時候,該展示一下我們在制造化和商業化方面的成果了。”

      隨著行業向更小的節點轉變,在技術上面臨著嚴峻的可擴展性挑戰。MRAM 除了被視為能夠取代傳統存儲器芯片 DRAM 和 NAND 的候選者,還被視為一項充滿吸引力的嵌入式技術,可以替代閃存和嵌入式 SRAM。

      因為它具有快速讀取寫入時間,高耐用性和強保留性。嵌入式 MRAM 被認為特別適用于例如物聯網(IoT) 設備之類的應用。自去年以來,Globalfoundries 就其 22 FDX 22nm FD-SOI 工藝提供嵌入式MRAM。但業內分析師 Jim Handy 表示,他并不知情 Globalfoundries 的嵌入式 MRAM 技術具體有哪些商業化的應用。

      “沒有人提起它的原因,是因為他們不得不添加新材料,”他說。

      但隨著制造成本下降以及其他存儲器技術面臨可擴展性挑戰,嵌入式 MRAM 正在獲得更多考慮。 “重要的是,隨著新工藝技術的發展,SRAM 單元的尺寸不會隨著剩余的工藝而縮小,從這點來看,MRAM 變得越來越有吸引力,” Handy說。

      在其論文中,英特爾表示其嵌入式 MRAM 技術可在 200 攝氏度下實現長達 10 年的記憶期,并可在超過 106 個開關周期內實現持久性。該技術使用 216mm×225mm 1T-1R 存儲單元。

      與此同時,三星也稱其 8Mb MRAM 的續航能力為 106 次,記憶期為 10 年。

      Song 表示,三星技術最初將用于物聯網應用。他說,在將其用于汽車和工業應用之前,可靠性必須提高。 “我們已成功將技術從實驗室轉移到工廠,并將在不久的將來將其推向市場”。

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